Vishay TrenchFET Gen IV Type P-Channel MOSFET, 445 A, 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ130EL-T1_GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB226.73

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB242.602

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีสต็อกจำกัด
  • เพิ่มอีก 3,990 ชิ้นที่เหลือจะส่งจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 48THB113.365THB226.73
50 - 98THB103.82THB207.64
100 - 248THB90.17THB180.34
250 - 998THB88.40THB176.80
1000 +THB65.49THB130.98

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
239-8678
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SQJQ130EL-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

445A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET Gen IV

Package Type

PowerPAK (8x8L)

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00052Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

43nC

Maximum Power Dissipation Pd

255W

Maximum Operating Temperature

125°C

Standards/Approvals

AEC-Q101

Height

1.6mm

Width

4.9 mm

Length

6.15mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay SQJQ is automotive P-Channel MOSFET which operates at 30 V and 175 °C temperature. This MOSFET used for high power density.

Low resistance

AEC-Q101 qualified

UIS tested

Thin package

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง