Vishay Type N-Channel MOSFET, 410 A, 30 V Depletion, 4-Pin PowerPAK SO-8L

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB46,422.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB49,671.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 +THB15.474THB46,422.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
239-8670
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SQJ186EP-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

410A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK SO-8L

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.02Ω

Channel Mode

Depletion

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

255W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

43nC

Maximum Operating Temperature

125°C

Length

6.15mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay SIDR is automotive N-Channel MOSFET which operates at 80 V and 175 °C temperature. This MOSFET used for high power density.

AEC-Q101 qualified

UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง