Vishay Type N-Channel MOSFET, 410 A, 30 V Depletion, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ186EP-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 239-8671
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ186EP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB285.79
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB305.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 2,010 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | THB28.579 | THB285.79 |
| 50 - 90 | THB28.029 | THB280.29 |
| 100 - 240 | THB27.479 | THB274.79 |
| 250 - 990 | THB26.928 | THB269.28 |
| 1000 + | THB20.959 | THB209.59 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 239-8671
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ186EP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 410A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PowerPAK SO-8L | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.02Ω | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 255W | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 43nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.15mm | |
| Width | 4.9 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 410A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PowerPAK SO-8L | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.02Ω | ||
Channel Mode Depletion | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 255W | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 43nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.15mm | ||
Width 4.9 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay SIDR is automotive N-Channel MOSFET which operates at 80 V and 175 °C temperature. This MOSFET used for high power density.
AEC-Q101 qualified
UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Depletion, 4-Pin PowerPAK SO-8L
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Depletion, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJA26EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Depletion, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ170ELP-T1_GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Depletion, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ160EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Depletion, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ140ELP-T1_GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Depletion, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Depletion, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ112E-T1_GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Depletion, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SQJQ150E-T1_GE3