Vishay N-Channel MOSFET, 130 A, 60 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR182LDP-T1-RE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
239-8642
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIR182LDP-T1-RE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current (Id)

130 A

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

60 V

Channel Mode

Depletion

Pin Count

8

Package Type

PowerPAK SO-8

Automotive Standard

AEC-Q101

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

0.00315 Ω

Maximum Gate Source Voltage (Vgs)

20 V

Maximum Operating Temperature

125 °C

Maximum Power Dissipation (Pd)

83 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Mount Type

Surface

Standards/Approvals

No

Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs

56 nC

Width

5.15 mm

The Vishay TrenchFET® is Gen IV power N-Channel MOSFET which operates at 60 V. This MOSFET used for power supply, motor drive control and synchronous rectification.

Very low resistance

UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง