Vishay Type N-Channel MOSFET, 218 A, 100 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SiDR626LEP-T1-RE3
- RS Stock No.:
- 239-8617
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiDR626LEP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB276.10
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB295.42
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 5,990 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | THB138.05 | THB276.10 |
| 50 - 98 | THB117.025 | THB234.05 |
| 100 - 248 | THB101.63 | THB203.26 |
| 250 - 998 | THB99.64 | THB199.28 |
| 1000 + | THB73.815 | THB147.63 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 239-8617
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiDR626LEP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 218A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | PowerPAK SO-8DC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0021Ω | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 120W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 46.1nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Width | 5.15 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.15mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 218A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type PowerPAK SO-8DC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0021Ω | ||
Channel Mode Depletion | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 120W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 46.1nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Width 5.15 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.15mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay TrenchFET® is Gen IV power N-Channel MOSFET which operates at 60 V and 175 °C temperature. This MOSFET used for solar micro inverter, motor drive switch and synchronous rectification.
Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer
Very low resistance
UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Type N-Channel MOSFET 100 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8DC
- Vishay Type N-Channel MOSFET 100 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8DC
- Vishay Type N-Channel MOSFET 100 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8DC
- Vishay Type N-Channel MOSFET 100 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SIDR104AEP-T1-RE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 100 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SiDR220EP-T1-RE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8DC
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8DC
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8DC