Vishay Type N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8
- RS Stock No.:
- 239-8645
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR512DP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB178,479.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB190,974.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 6,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB59.493 | THB178,479.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 239-8645
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR512DP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | PowerPAK SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.01Ω | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 83W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 56nC | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5.15 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type PowerPAK SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.01Ω | ||
Channel Mode Depletion | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 83W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 56nC | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5.15 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay TrenchFET® is Gen IV power N-Channel MOSFET which operates at 100 V. This MOSFET used for power supply, motor drive control and synchronous rectification.
Very low resistance
UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Type N-Channel MOSFET 60 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR512DP-T1-RE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 60 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay Type N-Channel MOSFET 60 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay Type N-Channel MOSFET 60 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay Type N-Channel MOSFET 60 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay Type N-Channel MOSFET 60 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay Type N-Channel MOSFET 60 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR514DP-T1-RE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 60 V Depletion, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR576DP-T1-RE3
