Vishay SQJ Type N-Channel MOSFET, 210 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK SO-8L SQJ182EP-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 239-5408
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ182EP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB122,118.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB130,665.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีสต็อกจำกัด
- เพิ่มอีก 3,000 ชิ้นที่เหลือจะส่งจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB40.706 | THB122,118.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 239-5408
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ182EP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 210A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | SQJ | |
| Package Type | PowerPAK SO-8L | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.005Ω | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 64nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 395W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 6.15mm | |
| Width | 4.9 mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101, RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 210A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series SQJ | ||
Package Type PowerPAK SO-8L | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.005Ω | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 64nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 395W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 6.15mm | ||
Width 4.9 mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101, RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay N channel MOSFET has drain current of 210 A.
AEC-Q101 qualified
100 % Rg and UIS tested
Qgd/Qgs ratio < 1 optimizes switching characteristics
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQJ Type N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin PowerPAK SO-8L SQJ182EP-T1_GE3
- Vishay SQJ Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ186ELP-T1_GE3
- Vishay Single 1 Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin PowerPAK SO-8L
- Vishay Single 1 Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin PowerPAK SO-8L SQJ488EP-T1_GE3
- Vishay Single SQJ 1 Type P-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin PowerPAK SO-8L
- Vishay Single SQJ 1 Type P-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin PowerPAK SO-8L SQJ457EP-T1_GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Depletion, 4-Pin PowerPAK SO-8L
- Vishay Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8L