Vishay SIH N-Channel MOSFET, 20 A, 850 V TO-247AC SIHG24N80AEF-GE3
- RS Stock No.:
- 239-5376
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHG24N80AEF-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 25 ชิ้น)*
THB3,208.25
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,432.75
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 475 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | THB128.33 | THB3,208.25 |
| 100 - 475 | THB124.48 | THB3,112.00 |
| 500 - 975 | THB119.501 | THB2,987.53 |
| 1000 + | THB113.526 | THB2,838.15 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 239-5376
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHG24N80AEF-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 850V | |
| Package Type | TO-247AC | |
| Series | SIH | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.17Ω | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 208W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 60nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 850V | ||
Package Type TO-247AC | ||
Series SIH | ||
Mount Type Through Hole | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.17Ω | ||
Maximum Power Dissipation Pd 208W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 60nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay EF series power MOSFET has drain current of 20 A. It is used for server and telecom power supplies, switch mode power supplies (SMPS), power factor correction power supplies (PFC)
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Co(er))
Reduced switching and conduction losses
Avalanche energy rated (UIS)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SIH N-Channel MOSFET 850 V TO-247AC SIHG24N80AEF-GE3
- Vishay SiH N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8 SIHH068N60E-T1-GE3
- Vishay SiH N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK055N60E-T1-GE3
- Vishay SiH N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8 SIHH070N60EF-T1GE3
- Vishay SiH N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK045N60EF-T1GE3
- Vishay SiH N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK055N60EF-T1GE3
- Vishay SiH N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8 SIHK045N60E-T1GE3
- Vishay SiH N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK075N60EF-T1GE3
