Vishay SiH N channel-Channel MOSFET, 48 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SO-8 SiHK045N60E

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB493.10

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB527.62

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 31 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB493.10
10 - 49THB305.96
50 - 99THB236.65
100 +THB159.91

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
735-154
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiHK045N60E
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

48A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PowerPAK SO-8

Series

SiH

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.043Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

65nC

Maximum Power Dissipation Pd

278W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

600V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

13mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

10mm

Height

2mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
IL
The Vishay N-Channel MOSFET rated for 60V drain-source voltage, optimized for high-efficiency switching in AI power server DC/DC converters and synchronous rectification circuits. It achieves very low on-resistance of 1.7mΩ maximum at 10V gate drive for minimal conduction losses in high-current applications

94A continuous drain current at TA=25°C

54.3nC typical total gate charge for fast switching

-55°C to +175°C extended junction temperature range

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง