ROHM N-Channel MOSFET, 39 A, 100 V Enhancement, 8-Pin HSMT RQ3P300BHTB1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
235-2774
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
RQ3P300BHTB1
ผู้ผลิต:
ROHM
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

ROHM

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current (Id)

39 A

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

100 V

Channel Mode

Enhancement

Pin Count

8

Package Type

HSMT

Automotive Standard

No

Forward Voltage (Vf)

1.2 V

Height

3.4 mm

Length

3.15 mm

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

15.5 mΩ

Maximum Gate Source Voltage (Vgs)

20 V

Maximum Operating Temperature

150 °C

Maximum Power Dissipation (Pd)

2 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Mount Type

Surface

Standards/Approvals

No

Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs

36 nC

Width

850 μm

The ROHM N channel power MOSFET with low on state resistance has drain to source voltage of 100 V. It is Ideal for switching purpose.

Small surface mount package

Pb-free lead plating

RoHS compliant

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง