ROHM N channel-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 8-Pin HSMT RQ3L120BLFRATCB

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
780-679
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
RQ3L120BLFRATCB
ผู้ผลิต:
ROHM
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

HSMT

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

40mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10V

Maximum Power Dissipation Pd

40W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7.5nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Height

0.9mm

Length

3.3mm

Width

3.1mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The ROHM Power MOSFET delivers high-performance N-channel switching for automotive power management. This AEC-Q101 qualified device is engineered for ADAS and body control systems, ensuring efficient operation in demanding vehicle environments up to 150°C.

Drain to source voltage of 60 V

Continuous drain current of 12 A

35 mΩ typical on-resistance at 10 V

Low gate charge of 7.5 nC for fast switching

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง