ROHM N channel-Channel MOSFET, 27 A, 100 V, 8-Pin HSMT RQ3P270BLFRATCB
- RS Stock No.:
- 780-681
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RQ3P270BLFRATCB
- ผู้ผลิต:
- ROHM
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 10 ชิ้น)*
THB322.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB344.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 24 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | THB32.22 | THB322.20 |
| 100 - 490 | THB28.371 | THB283.71 |
| 500 + | THB22.858 | THB228.58 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 780-681
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RQ3P270BLFRATCB
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 27A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | HSMT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 38mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 13.6nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 69W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.3mm | |
| Width | 3.1mm | |
| Height | 0.9mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 27A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type HSMT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 38mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13.6nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 69W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.3mm | ||
Width 3.1mm | ||
Height 0.9mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM Power MOSFET delivers high-performance N-channel switching for automotive and industrial power management. This robust device is engineered for high-efficiency operation in vehicle systems, ensuring reliable performance in demanding power conversion and switching circuits.
Drain to source voltage of 100 V
Continuous drain current of 27 A
High power dissipation of 69 W
Compact HSMT8AG surface mount package
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM N channel-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin HSMT RQ3L120BLFRATCB
- ROHM N channel-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin HSMT RQ3G120BKFRATCB
- ROHM N channel-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin HSMT RQ3P120BLFRATCB
- ROHM RQ3 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3P270BKFRATCB
- ROHM R65 1 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RH6E040BGTB1
- ROHM RH6 1 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RH6L040BGTB1
- ROHM HT8 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8KC6TB1
- ROHM RQ3 Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3G270BJFRATCB
