Infineon IST Type N-Channel MOSFET, 475 A, 40 V Enhancement, 5-Pin HSOF IST006N04NM6AUMA1
- RS Stock No.:
- 235-0606
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IST006N04NM6AUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB151.73
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB162.352
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 1,288 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB75.865 | THB151.73 |
| 10 - 98 | THB74.345 | THB148.69 |
| 100 - 248 | THB72.825 | THB145.65 |
| 250 - 498 | THB71.425 | THB142.85 |
| 500 + | THB70.02 | THB140.04 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 235-0606
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IST006N04NM6AUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 475A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | HSOF | |
| Series | IST | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 250W | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 178nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 7.2mm | |
| Length | 6.9mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 2.4 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 475A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type HSOF | ||
Series IST | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 250W | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 178nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 7.2mm | ||
Length 6.9mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 2.4 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOSTM6 power transistor operated on 40V and drain current of 475A. It is in Stoll package features very low RDS(on) of 0.60mOhm. It has the advantages of Infineons well known quality level for robust industry packages making it the Ideal solution for various performance in battery powered applications, battery protection and battery formation.
Optimized for low voltage motor drives application
Optimized for battery power applications
Very low on-resistance RDS(on)
100% avalanche tested
Superior thermal performance
N-channel
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IST Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin HSOF IST006N04NM6AUMA1
- Infineon IST Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin HSOF IST007N04NM6AUMA1
- Infineon IST Type N-Channel Power Transistor 60 V Enhancement, 5-Pin sTOLL
- Infineon IST Type N-Channel Power Transistor 60 V Enhancement, 5-Pin sTOLL IST011N06NM5AUMA1
- Infineon IAUA Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin HSOF
- Infineon IAUA Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin HSOF IAUA180N04S5N012AUMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin HSOF IAUT260N10S5N019ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSOF
