Infineon IST N-Channel Power Transistor, 399 A, 60 V Enhancement, 5-Pin sTOLL IST011N06NM5AUMA1
- RS Stock No.:
- 273-2819
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IST011N06NM5AUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB171,894.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB183,926.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 + | THB85.947 | THB171,894.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-2819
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IST011N06NM5AUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | Power Transistor | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 399A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | IST | |
| Package Type | sTOLL | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 110nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 313W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type Power Transistor | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 399A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series IST | ||
Package Type sTOLL | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 110nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 313W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals JEDEC, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET is a N channel MOSFET and optimized for low voltage motor drives application and for battery powered applications. This MOSFET is qualified according to JEDEC for industrial applications.
RoHS compliant
Pb free lead plating
100 percent avalanche tested
Enables automated optical solder inspection
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IST N-Channel Power Transistor 60 V Enhancement, 5-Pin sTOLL
- Infineon IST N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin HSOF IST006N04NM6AUMA1
- Infineon IST N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin HSOF IST007N04NM6AUMA1
- Infineon ISA N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin sTOLL
- Infineon ISA N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin sTOLL IST026N10NM5AUMA1
- Infineon Half Bridge IAUC60N04S6N050H N-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Dual N IPG 2 N-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO IPG20N04S412AATMA1
- Infineon Dual CoolMOS 2 N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N10S4L22ATMA1