Infineon IST Type N-Channel Power Transistor, 399 A, 60 V Enhancement, 5-Pin sTOLL IST011N06NM5AUMA1
- RS Stock No.:
- 273-2819
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IST011N06NM5AUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB171,894.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB183,926.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 + | THB85.947 | THB171,894.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-2819
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IST011N06NM5AUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Power Transistor | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 399A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | sTOLL | |
| Series | IST | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 313W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 110nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Power Transistor | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 399A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type sTOLL | ||
Series IST | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 313W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 110nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals JEDEC, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET is a N channel MOSFET and optimized for low voltage motor drives application and for battery powered applications. This MOSFET is qualified according to JEDEC for industrial applications.
RoHS compliant
Pb free lead plating
100 percent avalanche tested
Enables automated optical solder inspection
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IST Type N-Channel Power Transistor 60 V Enhancement, 5-Pin sTOLL
- Infineon IST Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin HSOF IST006N04NM6AUMA1
- Infineon IST Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin HSOF IST007N04NM6AUMA1
- Infineon ISA Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin sTOLL
- Infineon ISA Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin sTOLL IST026N10NM5AUMA1
- Infineon Half Bridge OptiMOSTM Type N-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP023N10N5AKSA1
- Infineon Dual N IPG 2 Type N-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO IPG20N04S412AATMA1