Infineon IST N-Channel MOSFET, 475 A, 40 V Enhancement, 5-Pin HSOF IST006N04NM6AUMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*

THB127,564.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB136,494.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 21 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2000 - 2000THB63.782THB127,564.00
4000 - 4000THB60.593THB121,186.00
6000 +THB57.563THB115,126.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
235-0605
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IST006N04NM6AUMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

475A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

IST

Package Type

HSOF

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

250W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

178nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

2.4mm

Standards/Approvals

No

Height

7.2mm

Length

6.9mm

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOSTM6 power transistor operated on 40V and drain current of 475A. It is in Stoll package features very low RDS(on) of 0.60mOhm. It has the advantages of Infineon’s well known quality level for robust industry packages making it the Ideal solution for various performance in battery powered applications, battery protection and battery formation.

Optimized for low voltage motor drives application

Optimized for battery power applications

Very low on-resistance RDS(on)

100% avalanche tested

Superior thermal performance

N-channel

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง