Infineon IST Type N-Channel Power Transistor, 399 A, 60 V Enhancement, 5-Pin sTOLL
- RS Stock No.:
- 273-2820
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IST011N06NM5AUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB135.33
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB144.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 97 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 49 | THB135.33 |
| 50 - 99 | THB123.29 |
| 100 - 249 | THB112.63 |
| 250 - 999 | THB104.29 |
| 1000 + | THB96.87 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-2820
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IST011N06NM5AUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | Power Transistor | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 399A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | sTOLL | |
| Series | IST | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 313W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 110nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type Power Transistor | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 399A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type sTOLL | ||
Series IST | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 313W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 110nC | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals JEDEC, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET is a N channel MOSFET and optimized for low voltage motor drives application and for battery powered applications. This MOSFET is qualified according to JEDEC for industrial applications.
RoHS compliant
Pb free lead plating
100 percent avalanche tested
Enables automated optical solder inspection
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IST Type N-Channel Power Transistor 60 V Enhancement, 5-Pin sTOLL IST011N06NM5AUMA1
- Infineon ISA Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin sTOLL
- Infineon IST Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin HSOF IST006N04NM6AUMA1
- Infineon IST Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin HSOF IST007N04NM6AUMA1
- Infineon ISA Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin sTOLL IST026N10NM5AUMA1
- Infineon Half Bridge OptiMOSTM Type N-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP023N10N5AKSA1