Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 58 A, 100 V, 8-Pin PQFN ISZ0804NLSATMA1

RS Stock No.:: 232-6778
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: ISZ0804NLSATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 58 A, 100 V, 8-Pin PQFN ISZ0804NLSATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB288.91

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB309.135

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

4,915 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 09 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 5	THB57.782	THB288.91
10 - 95	THB56.336	THB281.68
100 - 245	THB54.928	THB274.64
250 - 495	THB53.556	THB267.78
500 +	THB52.216	THB261.08

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 232-6778
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: ISZ0804NLSATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	58A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	PQFN
	Series	OptiMOS 5
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	15.5mΩ
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	24nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	60W
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	3.4mm
	Width	1.1 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	3.4mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 58A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type PQFN
	Series OptiMOS 5
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 15.5mΩ
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 60W
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 3.4mm
	Width 1.1 mm
	Standards/Approvals No
	Height 3.4mm
	Automotive Standard No

Datasheet - ISZ0804NLSATMA1

The Infineon's OptiMOS PD power MOSFET 100 V, are designed targeting USB-PD and adapter applications. It's PQFN 3.3x3.3 package offers fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS PD features quality products in compact, lightweight packages.

Logic level availability

Excellent thermal behaviour

100% avalanche tested

Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 58 A, 100 V, 8-Pin PQFN ISZ0804NLSATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง