Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 37 A, 100 V, 8-Pin PQFN ISZ0803NLSATMA1
- RS Stock No.:
- 232-6776
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISZ0803NLSATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB231.79
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB248.015
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 5,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | THB46.358 | THB231.79 |
| 10 - 95 | THB45.198 | THB225.99 |
| 100 - 245 | THB44.068 | THB220.34 |
| 250 - 495 | THB42.966 | THB214.83 |
| 500 + | THB41.892 | THB209.46 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 232-6776
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISZ0803NLSATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 37A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | PQFN | |
| Series | OptiMOS 5 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 21.9mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 43W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 3.4mm | |
| Width | 1.1 mm | |
| Length | 3.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 37A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type PQFN | ||
Series OptiMOS 5 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 21.9mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 43W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 3.4mm | ||
Width 1.1 mm | ||
Length 3.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon's OptiMOS PD power MOSFET 100 V, are designed targeting USB-PD and adapter applications. It's PQFN 3.3x3.3 package offers fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS PD features quality products in compact, lightweight packages.
Logic level availability
Excellent thermal behaviour
100% avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin SO-8
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin SO-8 ISC0803NLSATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin PQFN ISZ0602NLSATMA1