Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 66 A, 80 V, 8-Pin SO-8 ISC0602NLSATMA1

RS Stock No.:: 232-6749
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: ISC0602NLSATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 66 A, 80 V, 8-Pin SO-8 ISC0602NLSATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB237.02

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB253.61

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 4,995 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 5	THB47.404	THB237.02
10 - 95	THB46.22	THB231.10
100 - 245	THB45.064	THB225.32
250 - 495	THB43.936	THB219.68
500 +	THB42.838	THB214.19

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 232-6749
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: ISC0602NLSATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	66A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	SO-8
	Series	OptiMOS 5
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	9.5mΩ
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	22nC
	Maximum Power Dissipation Pd	60W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	5.35mm
	Standards/Approvals	No
	Width	1.2 mm
	Length	6.1mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 66A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type SO-8
	Series OptiMOS 5
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 9.5mΩ
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC
	Maximum Power Dissipation Pd 60W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 5.35mm
	Standards/Approvals No
	Width 1.2 mm
	Length 6.1mm
	Automotive Standard No

Datasheet - ISC0602NLSATMA1

The Infineon's OptiMOS PD power MOSFET 80 V, are designed targeting USB-PD and adapter applications. It's SuperSO8 package offers fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS PD features quality products in compact, lightweight packages.

Logic level availability

Excellent thermal behaviour

100% avalanche tested

Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 66 A, 80 V, 8-Pin SO-8 ISC0602NLSATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง