Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 165 A, 80 V Enhancement, 8-Pin HSOG IAUS165N08S5N029ATMA1
- RS Stock No.:
- 214-8992
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IAUS165N08S5N029ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB608.98
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB651.61
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,675 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 445 | THB121.796 | THB608.98 |
| 450 - 895 | THB118.752 | THB593.76 |
| 900 + | THB116.926 | THB584.63 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-8992
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IAUS165N08S5N029ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 165A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | OptiMOS 5 | |
| Package Type | HSOG | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 165A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series OptiMOS 5 | ||
Package Type HSOG | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon range of OptiMOS-5 Mosfet has a range of energy efficient MOSFET transistors. OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
100% Avalanche tested
It has 175°C operating temperature
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin HSOG
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET & Diode 80 V Enhancement, 8-Pin HSOG
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET & Diode 80 V Enhancement, 8-Pin HSOG IAUS240N08S5N019ATMA1
- Infineon OptiMOS-TM7 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8-34 IAUCN08S7N024ATMA1
- Infineon IAUS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin HSOG
- Infineon IPTG Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin HSOG
- Infineon IAUS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin HSOG IAUS300N08S5N012ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin HSOF
