Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 64 A, 80 V, 8-Pin PQFN ISZ0602NLSATMA1
- RS Stock No.:
- 232-6769
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISZ0602NLSATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB271.63
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB290.645
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | THB54.326 | THB271.63 |
| 10 - 95 | THB52.968 | THB264.84 |
| 100 - 245 | THB51.644 | THB258.22 |
| 250 - 495 | THB50.352 | THB251.76 |
| 500 + | THB49.094 | THB245.47 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 232-6769
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- ISZ0602NLSATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 64A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | OptiMOS 5 | |
| Package Type | PQFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9.9mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 29nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 60W | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 3.4mm | |
| Height | 3.4mm | |
| Width | 1.1 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 64A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series OptiMOS 5 | ||
Package Type PQFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9.9mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 29nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 60W | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 3.4mm | ||
Height 3.4mm | ||
Width 1.1 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon's OptiMOS PD power MOSFET 80 V, are designed targeting USB-PD and adapter applications. It's PQFN 3.3x3.3 package offers fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS PD features quality products in compact, lightweight packages.
Logic level availability
Excellent thermal behaviour
100% avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V N, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V N, 8-Pin PQFN BSZ110N08NS5ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V N, 8-Pin PQFN BSZ070N08LS5ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin SO-8
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin SO-8 ISC0602NLSATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin PQFN
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin PQFN