Infineon IAUT N-Channel MOSFET, 300 A, 80 V Enhancement, 8-Pin HSOF IAUT300N08S5N012ATMA2

RS Stock No.:: 229-1811
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IAUT300N08S5N012ATMA2
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IAUT N-Channel MOSFET, 300 A, 80 V Enhancement, 8-Pin HSOF IAUT300N08S5N012ATMA2

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB430.55

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB460.69

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 270 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 05 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 8	THB215.275	THB430.55
10 - 98	THB209.895	THB419.79
100 - 248	THB204.65	THB409.30
250 - 498	THB199.535	THB399.07
500 +	THB194.545	THB389.09

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 229-1811
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IAUT300N08S5N012ATMA2
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	300A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	HSOF
	Series	IAUT
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.2mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	375W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	+175°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 300A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type HSOF
	Series IAUT
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.2mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 375W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature +175°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon IAUT Series MOSFET, 80V Maximum Drain Source Voltage, 300A Maximum Continuous Drain Current - IAUT300N08S5N012ATMA2

This MOSFET is a high-current N-channel enhancement device designed for demanding automotive and industrial power-switching roles. It operates across a wide ambient range and is supplied in a surface-mount HSOF package suited to heavy-current board layouts. The device is specified to withstand typical automotive gate excursions and delivers the voltage and current capacity needed for robust power conversion and motor-drive applications.

Features and Benefits:

• Low on-resistance of 1.2 mΩ reduces conduction losses and heat
• 80 V drain rating enables high-voltage switching applications
• 300 A continuous drain current supports high-current loads
• 375 W maximum dissipation allows sustained power handling
• ±20 V gate tolerance accommodates automotive gate-drive signals
• AEC-Q101 qualification meets automotive stress-screening requirements

Applications

• Suitable for traction inverter stages in electrified vehicles
• Ideal for high-current DC-DC converter outputs
• Used with motor-drive inverters and traction controllers
• Can be used for power distribution in automotive systems
• Suitable for industrial power modules requiring surface-mount assembly

What temperature extremes can this device tolerate?

It is rated to operate from -55 °C up to +175 °C.

What package type and mounting technology are used?

The device is supplied in an HSOF package and intended for surface-mounting.

How does the device handle gate stresses in automotive systems?

It accepts gate-source voltages up to ±20 V, allowing for typical automotive drive margins.

What channel conduction mode and type does it employ?

It is an enhancement-mode N-channel device designed for switching applications.