Infineon IAUT Type N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TO-263 IAUT300N08S5N014ATMA1
- RS Stock No.:
- 244-0893
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IAUT300N08S5N014ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB159.99
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB171.19
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 3,985 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB159.99 |
| 10 - 99 | THB152.09 |
| 100 - 249 | THB144.49 |
| 250 - 499 | THB137.19 |
| 500 + | THB130.19 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 244-0893
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IAUT300N08S5N014ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 120A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | IAUT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 120A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series IAUT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon MOSFET IAUT300N08S5N014ATMA1 Specifically designed for Automotive applications, this Cellular Planar design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.
N-channel - Enhancement mode
AEC qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IAUT Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TO-263
- Infineon IAUT Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon IAUT Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PQFN IAUZ40N10S5N130ATMA1
- Infineon IAUT Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin HSOF
- Infineon IAUT Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin HSOF
- Infineon IAUT Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin HSOF
- Infineon IAUT Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin HSOF IAUT150N10S5N035ATMA1
- Infineon IAUT Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin HSOF IAUT300N08S5N012ATMA2