Infineon IAUT N-Channel MOSFET, 40 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PQFN IAUZ40N10S5N130ATMA1
- RS Stock No.:
- 229-1813
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IAUZ40N10S5N130ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (10 ชิ้น, ในแพ็คขนาด 10)*
THB377.27
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB403.68
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 19,870 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 05 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | THB37.727 | THB377.27 |
| 20 - 90 | THB35.84 | THB358.40 |
| 100 - 240 | THB34.047 | THB340.47 |
| 250 - 490 | THB32.344 | THB323.44 |
| 500 + | THB30.728 | THB307.28 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 229-1813
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IAUZ40N10S5N130ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | PQFN | |
| Series | IAUT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 68W | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | +175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type PQFN | ||
Series IAUT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 68W | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Operating Temperature +175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Infineon IAUT Series MOSFET, 100V Maximum Drain Source Voltage, 40A Maximum Continuous Drain Current - IAUZ40N10S5N130ATMA1
This MOSFET is a high-current, enhancement-mode N-channel transistor designed for surface-mounted power switching in demanding electronic systems. It operates across a wide temperature span and is suitable for applications requiring robust gate handling and substantial continuous current capability.
Features and Benefits:
• 100V drain-source rating enabling higher-voltage DC-DC conversion
• 40A continuous drain current supporting sustained high-load operation
• 13mΩ low Rds(on) reducing conduction losses during switching
• 68W power dissipation allowing greater thermal headroom
• ±20V gate-source limit providing tolerance for gate-drive swings
• −55°C to +175°C temperature range ensuring operation in harsh environments
• 40A continuous drain current supporting sustained high-load operation
• 13mΩ low Rds(on) reducing conduction losses during switching
• 68W power dissipation allowing greater thermal headroom
• ±20V gate-source limit providing tolerance for gate-drive swings
• −55°C to +175°C temperature range ensuring operation in harsh environments
Applications
• Suitable for DC-DC converter stages in power supplies
• Ideal for high-current switching in automotive environments
• Used for power management in electric vehicle subsystems
• Can be used for surface-mount designs requiring leadless packaging
• Used with battery management and distribution circuits
• Ideal for high-current switching in automotive environments
• Used for power management in electric vehicle subsystems
• Can be used for surface-mount designs requiring leadless packaging
• Used with battery management and distribution circuits
What package type does it use for board assembly?
It is supplied in a leadless PQFN package intended for surface mounting.
What gate-drive considerations are important for reliable switching?
Gate excursions must remain within ±20V to avoid gate-dielectric stress and ensure safe operation.
How does thermal management impact continuous current capability?
The 68W power-dissipation rating indicates the device can handle significant heat, adequate PCB thermal vias and copper area are required to sustain 40A continuous drain current.
What environmental limits govern its deployment in extreme conditions?
It is specified to function from −55°C up to +175°C, allowing use across a broad range of ambient and elevated temperatures.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IAUT N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon IAUT N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin HSOF
- Infineon IAUT N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin HSOF
- Infineon IAUT N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin HSOF
- Infineon IAUT N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TO-263
- Infineon IAUT N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin HSOF IAUT165N08S5N029ATMA2
- Infineon IAUT N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin HSOF IAUT300N08S5N012ATMA2
- Infineon IAUT N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin HSOF IAUT150N10S5N035ATMA1
