Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 150 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 228-2988
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUP60061EL-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 500 ชิ้น)*
THB38,769.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB41,483.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 500 + | THB77.539 | THB38,769.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 228-2988
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUP60061EL-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 150A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 145nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -0.8V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 150A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 145nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -0.8V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay P-Channel 80 V (D-S) MOSFET.
100 % Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SUP60061EL-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SUM60061EL-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SUP90100E-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 6-Pin TSOP
