Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 33.6 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJ211ELP-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 228-2959
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ211ELP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB314.16
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB336.15
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 2,870 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB62.832 | THB314.16 |
| 50 - 95 | THB61.264 | THB306.32 |
| 100 - 245 | THB59.734 | THB298.67 |
| 250 - 995 | THB58.242 | THB291.21 |
| 1000 + | THB56.784 | THB283.92 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 228-2959
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ211ELP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 33.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 30mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 68W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 45nC | |
| Forward Voltage Vf | -0.82V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 33.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 30mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 68W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 45nC | ||
Forward Voltage Vf -0.82V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay TrenchFET automotive P-channel is 100 V power MOSFET.
100 % Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJ147ELP-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2337ES-T1_GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2389ES-T1_GE3
- Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 6-Pin SC-70-6L
