Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 201 A, 25 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SiJA22DP-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 228-2890
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiJA22DP-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB166.44
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB178.09
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB33.288 | THB166.44 |
| 50 - 95 | THB32.454 | THB162.27 |
| 100 - 245 | THB31.642 | THB158.21 |
| 250 - 995 | THB30.852 | THB154.26 |
| 1000 + | THB30.082 | THB150.41 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 228-2890
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiJA22DP-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 201A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 25V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.74mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 83nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 48W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 201A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 25V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.74mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 83nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 48W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay TrenchFET N-channel is 25 V MOSFET.
100 % Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 4-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SIJH112E-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SIJA74DP-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 45 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SiJ450DP-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 45 V Enhancement, 4-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4154DY-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiRA18BDP-T1-GE3
