Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 81.2 A, 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SIJA74DP-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 228-2892
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIJA74DP-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB234.94
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB251.39
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 6,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | THB23.494 | THB234.94 |
| 50 - 90 | THB22.907 | THB229.07 |
| 100 - 240 | THB22.335 | THB223.35 |
| 250 - 990 | THB21.776 | THB217.76 |
| 1000 + | THB21.232 | THB212.32 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 228-2892
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIJA74DP-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 81.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.99mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 46.2W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 81.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.99mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 46.2W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay TrenchFET N-channel is 40 V MOSFET.
100 % Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8
- Vishay SiRA74DP Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiRA74DP-T1-GE3
- Vishay SiRA74DP Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 4-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 45 V Enhancement, 4-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 45 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SiJ450DP-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SiJA22DP-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
