Vishay E Type N-Channel MOSFET, 165.3 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHP21N80AEF-GE3

RS Stock No.:: 228-2879
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHP21N80AEF-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 165.3 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHP21N80AEF-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB610.70

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB653.45

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

375 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 5	THB122.14	THB610.70
10 - 20	THB119.086	THB595.43
25 - 95	THB116.108	THB580.54
100 - 495	THB113.204	THB566.02
500 +	THB110.374	THB551.87

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	165.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	850V
	Series	E
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	250mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Maximum Power Dissipation Pd	179W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	47nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 165.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 850V
	Series E
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 250mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Maximum Power Dissipation Pd 179W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 47nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 165.3 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHP21N80AEF-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง