Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 4.5 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SC-70 SIA938DJT-T1-GE3

RS Stock No.:: 228-2835
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIA938DJT-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 4.5 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SC-70 SIA938DJT-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB610.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB653.25

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

5,975 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
25 - 25	THB24.42	THB610.50
50 - 75	THB23.81	THB595.25
100 - 225	THB23.214	THB580.35
250 - 975	THB22.634	THB565.85
1000 +	THB22.067	THB551.68

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 228-2835
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIA938DJT-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	4.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SC-70
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	21.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	7.8W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	3.5nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Dual
	Standards/Approvals	No
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 4.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Series TrenchFET
	Package Type SC-70
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 21.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 7.8W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.5nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Dual
	Standards/Approvals No
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Datasheet - SIA938DJT-T1-GE3

Vishay TrenchFET Series MOSFET, 20V Maximum Drain Source Voltage, 4.5A Maximum Continuous Drain Current - SIA938DJT-T1-GE3

This MOSFET is a compact dual N-channel enhancement-mode transistor designed for surface-mount power management. It offers a low-voltage switching solution suitable for dense electronic assemblies and is intended for applications requiring dual-channel control in an 8-pin SC-70 package. The device handles moderate continuous currents and dissipates limited power while operating across a wide temperature span.

Features and Benefits:

• Low on-resistance of 21.5 mΩ reduces conduction losses
• Maximum drain voltage of 20V supports low-voltage systems
• Continuous drain current rating of 4.5A enables moderate loads
• Gate charge of 3.5 nC allows faster switching and lower drive energy
• Power dissipation capability of 7.8W aids thermal budgeting
• Operating range -55 to 150 °C permits high-temperature deployment

Applications

• Suitable for battery-powered DC distribution stages
• Ideal for synchronous rectification in power converters
• Used for dual-channel load switching on compact boards
• Can be used for motor-drive low-voltage stages
• Suited to thermally challenged environments requiring high-temperature parts

What mounting method does it support on a PCB?

It is supplied for surface-mount assembly in an 8-pin SC-70 package, facilitating automated soldering and compact layout.

How does the device handle gate-drive limits?

The gate-source voltage must not exceed 12V to prevent gate-dielectric stress during operation.

Is the transistor suitable for complementary configurations?

It is a dual N-channel arrangement with two elements per die, allowing paired switch topologies where two N-type devices are required.

What thermal extremes can it tolerate in use?

The device is rated to operate down to -55 °C and up to 150 °C, permitting use across a broad thermal envelope.