Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 4.5 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SC-70 SIA938DJT-T1-GE3

RS Stock No.:: 228-2835
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIA938DJT-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 4.5 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SC-70 SIA938DJT-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB487.20

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB521.30

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

5,975 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
25 - 25	THB19.488	THB487.20
50 - 75	THB19.001	THB475.03
100 - 225	THB18.526	THB463.15
250 - 975	THB18.063	THB451.58
1000 +	THB17.61	THB440.25

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 228-2835
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIA938DJT-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	4.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SC-70
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	21.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	3.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd	7.8W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Dual
	Standards/Approvals	No
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 4.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Series TrenchFET
	Package Type SC-70
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 21.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd 7.8W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Dual
	Standards/Approvals No
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Datasheet - SIA938DJT-T1-GE3

Vishay TrenchFET Series MOSFET, 20V Maximum Drain Source Voltage, 4.5A Maximum Continuous Drain Current - SIA938DJT-T1-GE3

This MOSFET is a Compact, surface-mount dual N-channel transistor designed for switching and power-management duties in electronic systems. It operates at low voltage levels and is suitable for Compact assemblies where board space is limited. The device accommodates moderate continuous currents and supports operation across a wide temperature span for industrial and commercial electronics environments.

Features and Benefits:

• 20V drain rating enables low-voltage system switching
• 4.5A continuous drain current supports moderate load currents
• 21.5mΩ low Rds(on) reduces conduction losses
• 3.5nC typical gate charge minimises switching energy
• 12V maximum gate-source protection simplifies gate drive
• 7.8W power dissipation allows thermal headroom in Compact layouts

Applications

• Suitable for battery-powered motor drivers and controllers
• Ideal for DC-DC converters in embedded systems
• Used for load switching in automation control modules
• Can be used for power distribution in portable electronics

What thermal range can it tolerate during operation?

It is rated to function between -55°C and 150°C, supporting cold-start and high-temperature operation.

How is the device packaged for PCB assembly?

It comes in a Compact SC-70 surface-mount package with an eight-pin count for dual-element placement.

Can this transistor be used in multi-transistor chip configurations?

Yes, it contains two transistor elements on a single die configured as a dual transistor, simplifying layout for paired switching.

What gate-drive considerations apply for robust operation?

The maximum permissible gate-to-source voltage is 12V

designs should limit drive voltage accordingly to avoid exceeding this rating.

How much power can the device safely dissipate on a PCB?

The maximum power dissipation is specified as 7.8W, which must be managed via PCB thermal design and appropriate copper area.