Vishay N-Channel 100 V Type N-Channel MOSFET, 150 A, 100 V, 3-Pin TO-263 SUM70042E-GE3
- RS Stock No.:
- 225-9970
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUM70042E-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB591.70
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB633.10
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 500 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | THB118.34 | THB591.70 |
| 25 - 45 | THB106.502 | THB532.51 |
| 50 - 95 | THB104.378 | THB521.89 |
| 100 - 245 | THB96.80 | THB484.00 |
| 250 + | THB94.808 | THB474.04 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 225-9970
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUM70042E-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 150A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | N-Channel 100 V | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.5mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 84nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 278W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 10.414 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 4.826mm | |
| Length | 15.875mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 150A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series N-Channel 100 V | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.5mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 84nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 278W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 10.414 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 4.826mm | ||
Length 15.875mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.
TrenchFET power MOSFET
Maximum 175 °C junction temperature
Very low Qgd reduces power loss from passing through V(plateau)
100 % Rg and UIS tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay N-Channel 100 V Type N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-263
- Vishay N-Channel 100 V Type N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-220
- Vishay N-Channel 100 V Type N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin TO-220 SUP70042E-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263 SUM70030M-GE3
- Vishay N-Channel 100 V Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin SO-8
- Vishay N-Channel 100 V Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin SO-8 SIR5102DP-T1-RE3
- Vishay N-Channel 100 V Type N-Channel MOSFET 100 V N, 7-Pin SC-70 SQA700CEJW-T1_GE3
- Vishay N-Channel 100 V Type N-Channel MOSFET 100 V N, 7-Pin SC-70