Vishay N-Channel 100 V N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 8-Pin SO-8 SIR5102DP-T1-RE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 6000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB51,348.00

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB256,758.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB274,731.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 3,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
การประหยัด
3000 - 3000THB85.586THB256,758.00-
6000 +THB77.028THB231,084.00THB51,348.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
225-9925
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIR5102DP-T1-RE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

110A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

N-Channel 100 V

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.6mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

6.25W

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.25mm

Width

1.12mm

Standards/Approvals

No

Height

5.26mm

Automotive Standard

No

The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง