STMicroelectronics MDmesh DM6 Type N-Channel MOSFET, 72 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STWA68N65DM6AG
- RS Stock No.:
- 225-0679
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STWA68N65DM6AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB454.77
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB486.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 533 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB454.77 |
| 10 - 99 | THB441.12 |
| 100 - 249 | THB427.88 |
| 250 - 499 | THB415.05 |
| 500 + | THB402.60 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 225-0679
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STWA68N65DM6AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 72A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | MDmesh DM6 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 39mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 118nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 480W | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 5.1mm | |
| Width | 15.8 mm | |
| Length | 40.92mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 72A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series MDmesh DM6 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 39mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 118nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 480W | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 5.1mm | ||
Width 15.8 mm | ||
Length 40.92mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Fast-recovery body diode
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate charge, input capacitance and resistance
100% avalanche tested
Extremely high dv/dt ruggedness
Zener-protected
629
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics MDmesh DM6 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh DM6 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin ACEPACK SMIT SH63N65DM6AG
- STMicroelectronics DM6 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics DM6 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW50N65DM6
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 10-Pin PG-HDSOP-10 IPDD60R037CM8XTMA1
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STWA75N60M6
- STMicroelectronics N-Channel MOSFET 650 V, 4-Pin TO-247-4 STW68N65DM6-4AG