STMicroelectronics DM6 Type N-Channel MOSFET, 33 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247

RS Stock No.:: 204-3947
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STW50N65DM6
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics DM6 Type N-Channel MOSFET, 33 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB7,061.13

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB7,555.41

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 05 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
30 - 30	THB235.371	THB7,061.13
60 - 90	THB230.255	THB6,907.65
120 +	THB225.137	THB6,754.11

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 204-3947
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STW50N65DM6
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	33A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	DM6
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	91mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	250W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	52.5nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	15.75mm
	Height	20.15mm
	Width	5.15 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 33A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series DM6
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 91mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 250W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 52.5nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 15.75mm
	Height 20.15mm
	Width 5.15 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - STW50N65DM6

COO (Country of Origin):: CN

The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

100% avalanche tested

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

STMicroelectronics DM6 Type N-Channel MOSFET, 33 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง