STMicroelectronics DM6 Type N-Channel MOSFET, 33 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW50N65DM6
- RS Stock No.:
- 204-3948
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STW50N65DM6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB673.40
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB720.54
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 22 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 6 | THB336.70 | THB673.40 |
| 8 - 14 | THB328.285 | THB656.57 |
| 16 + | THB323.225 | THB646.45 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 204-3948
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STW50N65DM6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 33A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | DM6 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 91mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 250W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 52.5nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 20.15mm | |
| Width | 5.15 mm | |
| Length | 15.75mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 33A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series DM6 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 91mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 250W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 52.5nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 20.15mm | ||
Width 5.15 mm | ||
Length 15.75mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Fast-recovery body diode
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate charge, input capacitance and resistance
100% avalanche tested
Extremely high dv/dt ruggedness
Zener-protected
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics DM6 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW42N65M5
- STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh DM6 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh DM6 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STWA68N65DM6AG
- STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB42N65M5
- STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP42N65M5