STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 72 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STWA75N60M6
- RS Stock No.:
- 195-2681
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STWA75N60M6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB442.56
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB473.54
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 12 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 7 | THB442.56 |
| 8 - 14 | THB431.49 |
| 15 + | THB424.86 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 195-2681
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STWA75N60M6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 72A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 36mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 106nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 446W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 21.1mm | |
| Width | 5.1mm | |
| Length | 15.9mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 72A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 36mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 106nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 446W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 21.1mm | ||
Width 5.1mm | ||
Length 15.9mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The new MDmesh™ M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.
Reduced switching losses
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate input resistance
Zener-protected
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics Single 1 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STWA75N60DM6
- IXYS HiperFET 72 A 4-Pin SOT-227 IXFN82N60P
- IXYS HiperFET 72 A 4-Pin SOT-227
- STMicroelectronics N-Channel MOSFET 650 V, 4-Pin TO-247-4 STW68N65DM6-4AG
- STMicroelectronics MDmesh DM6 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STWA68N65DM6AG
- STMicroelectronics MDmesh DM6 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247