STMicroelectronics MDmesh DM6 N-Channel MOSFET, 72 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STWA68N65DM6AG

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
225-0678
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STWA68N65DM6AG
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

72A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

MDmesh DM6

Package Type

TO-247

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

39mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25V

Maximum Power Dissipation Pd

480W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

118nC

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

40.92mm

Width

15.8mm

Height

5.1mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

100% avalanche tested

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

629

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง