ROHM Dual 2 Type P-Channel MOSFET, 3.5 A, 40 V Enhancement, 7-Pin DFN UT6JB5TCR
- RS Stock No.:
- 223-6394
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- UT6JB5TCR
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
- RS Stock No.:
- 223-6394
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- UT6JB5TCR
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current (Id) | 3.5 A | |
| Maximum Drain Source Voltage (Vds) | 40 V | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Pin Count | 7 | |
| Package Type | DFN | |
| Automotive Standard | No | |
| Forward Voltage (Vf) | -1.2 V | |
| Height | 650 μm | |
| Length | 2 mm | |
| Maximum Drain Source Resistance (Rds) | 1.22 Ω | |
| Maximum Gate Source Voltage (Vgs) | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150 °C | |
| Maximum Power Dissipation (Pd) | 2 W | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mount Type | Surface | |
| Standards/Approvals | No | |
| Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs | 6.2 nC | |
| Width | 2 mm | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current (Id) 3.5 A | ||
Maximum Drain Source Voltage (Vds) 40 V | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Pin Count 7 | ||
Package Type DFN | ||
Automotive Standard No | ||
Forward Voltage (Vf) -1.2 V | ||
Height 650 μm | ||
Length 2 mm | ||
Maximum Drain Source Resistance (Rds) 1.22 Ω | ||
Maximum Gate Source Voltage (Vgs) 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150 °C | ||
Maximum Power Dissipation (Pd) 2 W | ||
Minimum Operating Temperature -55 °C | ||
Mount Type Surface | ||
Standards/Approvals No | ||
Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs 6.2 nC | ||
Width 2 mm | ||
The ROHM power MOSFET has DFN2020-8D package type. It is mainly used for switching.
Low on - resistance
Small surface mount package
Pb-free plating, RoHS compliant
Halogen free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM Dual 2 Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin DFN UT6JB5TCR
- ROHM Dual 2 Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 7-Pin DFN UT6JC5TCR
- ROHM RF9 Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin DFN RF9G120BJFRATCR
- ROHM RF9 Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 7-Pin DFN RF9L120BJFRATCR
- ROHM Dual 2 Type N 7 A 9-Pin DFN
- ROHM Dual 2 Type N 7 A 9-Pin DFN HS8MA2TCR1
- ROHM Dual 2 Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TSMT QH8JC5TCR
- DiodesZetex Dual 2 Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin DFN DMP2065UFDB-7
