ROHM Dual 2 Type P-Channel MOSFET, 2.5 A, 60 V Enhancement, 7-Pin DFN UT6JC5TCR
- RS Stock No.:
- 223-6398
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- UT6JC5TCR
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB381.95
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB408.675
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | THB15.278 | THB381.95 |
| 50 - 75 | THB14.514 | THB362.85 |
| 100 - 225 | THB13.788 | THB344.70 |
| 250 - 975 | THB13.098 | THB327.45 |
| 1000 + | THB12.444 | THB311.10 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 223-6398
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- UT6JC5TCR
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | DFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.8Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Length | 2mm | |
| Width | 2 mm | |
| Height | 0.65mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type DFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.8Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Length 2mm | ||
Width 2 mm | ||
Height 0.65mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM small signal MOSFET has DFN1010-3W package type. It is mainly used for switching circuits, high side loadswitch and relay driver.
Leadless ultra small and exposed drain pad for excellent thermal conduction SMD plastic package
Side wettable Flanks for automated optical solder inspection
AEC-Q101 qualified
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM Dual 2 Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin DFN UT6JB5TCR
- ROHM Dual 2 Type N 7 A 9-Pin DFN
- ROHM Dual 2 Type N 7 A 9-Pin DFN HS8MA2TCR1
- ROHM Dual P-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin DFN2020 UT6JC5TCR
- ROHM RF9 Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 7-Pin DFN RF9L120BJFRATCR
- ROHM RF9 Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin DFN RF9G120BJFRATCR
- ROHM Dual 2 Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TSMT QH8JB5TCR
- ROHM Dual 2 Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TSMT QH8JC5TCR
