ROHM Dual 2 Type P-Channel MOSFET, 3.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TSMT QH8JC5TCR
- RS Stock No.:
- 223-6207
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- QH8JC5TCR
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB363.36
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB388.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | THB36.336 | THB363.36 |
| 50 - 90 | THB35.427 | THB354.27 |
| 100 - 240 | THB34.542 | THB345.42 |
| 250 - 990 | THB33.679 | THB336.79 |
| 1000 + | THB32.836 | THB328.36 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 223-6207
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- QH8JC5TCR
- ผู้ผลิต:
- ROHM
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TSMT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.91Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17.3nC | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.5W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3.3mm | |
| Width | 2.8 mm | |
| Height | 0.85mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TSMT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.91Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17.3nC | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.5W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3.3mm | ||
Width 2.8 mm | ||
Height 0.85mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM Dual P-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin TSMT-8 QH8JC5TCR
- ROHM Dual 2 Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TSMT QH8JB5TCR
- ROHM QH8MC5 Type N 3.5 A 8-Pin TSMT-8 QH8MC5TCR
- ROHM Dual 2 Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin DFN UT6JB5TCR
- ROHM Dual 2 Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOP SH8JC5TB1
- ROHM Dual 2 Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOP SH8JB5TB1
- ROHM QS8 2 Type N 100 V Enhancement, 8-Pin TSMT-8 QS8M51HZGTR
- ROHM Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin TSMT
