ROHM Dual 2 Type P-Channel MOSFET, 3.5 A, 40 V Enhancement, 7-Pin DFN UT6JB5TCR
- RS Stock No.:
- 223-6395
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- UT6JB5TCR
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB601.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB643.275
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | THB24.048 | THB601.20 |
| 50 - 75 | THB22.846 | THB571.15 |
| 100 - 225 | THB21.704 | THB542.60 |
| 250 - 975 | THB20.619 | THB515.48 |
| 1000 + | THB19.588 | THB489.70 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 223-6395
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- UT6JB5TCR
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | DFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.22Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 2mm | |
| Height | 0.65mm | |
| Width | 2 mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type DFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.22Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.2nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 2mm | ||
Height 0.65mm | ||
Width 2 mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM power MOSFET has DFN2020-8D package type. It is mainly used for switching.
Low on - resistance
Small surface mount package
Pb-free plating, RoHS compliant
Halogen free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- ROHM Dual 2 Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 7-Pin DFN UT6JC5TCR
- ROHM Dual 2 Type N 7 A 9-Pin DFN
- ROHM Dual 2 Type N 7 A 9-Pin DFN HS8MA2TCR1
- ROHM Dual 2 Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TSMT QH8JC5TCR
- ROHM Dual P-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin DFN2020 UT6JB5TCR
- DiodesZetex Dual 2 Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin DFN
- ROHM RF9 Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 7-Pin DFN RF9L120BJFRATCR
- ROHM RF9 Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin DFN RF9G120BJFRATCR
