Infineon IPT60R Type N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V Enhancement, 8-Pin HSOF IPT60R080G7XTMA1

RS Stock No.:: 222-4940
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPT60R080G7XTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPT60R Type N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V Enhancement, 8-Pin HSOF IPT60R080G7XTMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB298.33

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB319.214

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 1,982 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 8	THB149.165	THB298.33
10 - 98	THB145.435	THB290.87
100 - 248	THB141.795	THB283.59
250 - 498	THB138.255	THB276.51
500 +	THB134.80	THB269.60

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 222-4940
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPT60R080G7XTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	29A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	HSOF
	Series	IPT60R
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	80mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	42nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	167W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	10.1mm
	Width	10.58 mm
	Height	2.4mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 29A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type HSOF
	Series IPT60R
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 80mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 167W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 10.1mm
	Width 10.58 mm
	Height 2.4mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPT60R080G7XTMA1

The Infineon CoolMOS™ C7 Gold superjunction MOSFET series (G7) brings together the benefits of the improved 600V CoolMOS™ C7 Gold technology, 4pin Kelvin source capability and the improved thermal properties of the TO-Leadless (TOLL) package to enable a possible SMD solution for high current hard switching topologies such as power factor correction (PFC) up to 3kW and for resonant circuits such as high end LLC.

Gives best-in-class FOM R DS(on)xE oss and R DS(on)xQ G

Enables best-in-class R DS(on) in smallest footprint

Infineon IPT60R Type N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V Enhancement, 8-Pin HSOF IPT60R080G7XTMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง