Infineon CoolGaN Type N-Channel MOSFET, 12.5 A, 600 V Enhancement, 8-Pin HSOF IGT60R190D1SATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB632.68

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB676.97

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 พฤศจิกายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB632.68
10 - 99THB616.86
100 - 249THB601.44
250 - 499THB586.40
500 +THB571.74

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
222-4638
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IGT60R190D1SATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

12.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

CoolGaN

Package Type

HSOF

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

190mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon design of Cool MOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. Cool MOS™ P6 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The offered devices provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter and cooler.

Increased MOSFET dv/dt ruggedness

Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss

Very high commutation ruggedness

Pb-free plating Halogen free mold compound

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง