Infineon IPT60R Type N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V Enhancement, 8-Pin HSOF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*

THB255,152.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB273,012.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2000 - 2000THB127.576THB255,152.00
4000 - 4000THB122.669THB245,338.00
6000 +THB121.116THB242,232.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
222-4939
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPT60R080G7XTMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

29A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

IPT60R

Package Type

HSOF

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

80mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

42nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.8V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

167W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.1mm

Standards/Approvals

No

Width

10.58 mm

Height

2.4mm

Automotive Standard

No

The Infineon CoolMOS™ C7 Gold superjunction MOSFET series (G7) brings together the benefits of the improved 600V CoolMOS™ C7 Gold technology, 4pin Kelvin source capability and the improved thermal properties of the TO-Leadless (TOLL) package to enable a possible SMD solution for high current hard switching topologies such as power factor correction (PFC) up to 3kW and for resonant circuits such as high end LLC.

Gives best-in-class FOM R DS(on)xE oss and R DS(on)xQ G

Enables best-in-class R DS(on) in smallest footprint

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง