Infineon IPN70R Type N-Channel MOSFET, 3 A, 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN70R2K0P7SATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*

THB613.25

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB656.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 1,950 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
50 - 50THB12.265THB613.25
100 - 100THB11.958THB597.90
150 - 200THB11.659THB582.95
250 - 450THB11.368THB568.40
500 +THB11.083THB554.15

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
222-4922
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPN70R2K0P7SATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Series

IPN70R

Package Type

SOT-223

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.9V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.8nC

Maximum Power Dissipation Pd

6W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.7 mm

Standards/Approvals

No

Height

1.8mm

Length

6.7mm

Automotive Standard

No

The Infineon CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET is designed to address typical challenges in the low power SMPS market, by offering excellent performance and ease-of-use, enabling improved form factors and price competitiveness. The SOT-223 package is a cost effective one-to-one drop-in alternative to DPAK that also enables footprint reduction in some designs. It can be placed on a typical DPAK footprint and shows comparable thermal performance. This combination makes CoolMOS™ P7 in SOT-223 a perfect fit for its target applications.

Enabling lower MOSFET chip temperature

Leading to higher efficency compared to previous technologies

Allowing improved form factors and slim designs

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง