Infineon IPN70R N-Channel MOSFET, 3 A, 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN70R2K0P7SATMA1

RS Stock No.:: 222-4922
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPN70R2K0P7SATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPN70R N-Channel MOSFET, 3 A, 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN70R2K0P7SATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (50 ชิ้น, ในแพ็คขนาด 50)*

THB759.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB812.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

750 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
50 - 50	THB15.18	THB759.00
100 - 100	THB14.801	THB740.05
150 - 200	THB14.43	THB721.50
250 - 450	THB14.07	THB703.50
500 +	THB13.718	THB685.90

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 222-4922
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPN70R2K0P7SATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	700V
	Package Type	SOT-223
	Series	IPN70R
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	6W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	3.8nC
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16V
	Forward Voltage Vf	900mV
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	3.7mm
	Length	6.7mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.8mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 700V
	Package Type SOT-223
	Series IPN70R
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 6W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.8nC
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16V
	Forward Voltage Vf 900mV
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 3.7mm
	Length 6.7mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.8mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPN70R2K0P7SATMA1

Infineon IPN70R Series MOSFET, 700V Maximum Drain Source Voltage, 3A Maximum Continuous Drain Current - IPN70R2K0P7SATMA1

This MOSFET is a high-voltage, N-channel enhancement device designed for surface-mounted power switching in circuits requiring elevated drain-source voltages. It operates across a wide temperature range and is intended for applications where controlled gate drive and power dissipation management are important.

Features and Benefits:

• 700 V drain-source rating enables high-voltage switching capability
• 3 A continuous drain current supports moderate current loads
• 2 Ω maximum RDS(on) reduces conduction losses under light loads
• 3.8 nC typical gate charge minimises switching energy
• 16 V maximum gate-source limit allows standard gate-drive levels
• 6 W maximum power dissipation aids thermal management in SOT-223

Applications

• Suitable for power supplies requiring high-voltage switches
• Ideal for switch-mode regulators with moderate current demands
• Used for line-side switching in industrial control equipment
• Can be used for lighting drivers operating at high voltage
• Used with surface-mount assemblies where Compact power is needed

What ambient temperatures can it tolerate during operation?

It is specified to function down to −40 °C and up to 150 °C.

How does the package affect mounting and the thermal path?

The SOT-223 package is intended for surface mounting and provides a thermal path suitable for its 6 W dissipation rating.

What gate-drive considerations are required for safe operation?

Gate voltage must not exceed 16 V and should be controlled to achieve the desired enhancement conduction while respecting the gate charge of 3.8 nC.

How should designers account for conduction losses at rated current?

Use the maximum 2 Ω drain-source resistance to estimate worst-case conduction losses at continuous currents up to 3 A.