Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET, 9.4 A, 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN70R1K2P7SATMA1
- RS Stock No.:
- 222-4686
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPN70R1K2P7SATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (3000 ชิ้น, ในม้วนขนาด 3000)*
THB31,314.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB33,507.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB10.438 | THB31,314.00 |
| 6000 - 6000 | THB10.036 | THB30,108.00 |
| 9000 + | THB9.909 | THB29,727.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4686
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPN70R1K2P7SATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 9.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 700V | |
| Series | CoolMOS | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.2Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 900mV | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.8nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 6.3W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 3.7mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.7mm | |
| Height | 1.8mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 9.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 700V | ||
Series CoolMOS | ||
Package Type SOT-223 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.2Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 900mV | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.8nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 6.3W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 3.7mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.7mm | ||
Height 1.8mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon design of Cool MOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest Cool MOS™ P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc.
Product validation acc. JEDEC Standard
Low switching losses (Eoss) Integrated ESD protection diode
Excellent thermal behaviour
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN70R1K2P7SATMA1
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN80R2K0P7ATMA1
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN95R2K0P7ATMA1
- Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN80R3K3P7ATMA1