Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 3 A, 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- RS Stock No.:
- 215-2529
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPN80R2K0P7ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB38,658.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB41,364.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 6,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB12.886 | THB38,658.00 |
| 6000 - 9000 | THB12.50 | THB37,500.00 |
| 12000 + | THB12.125 | THB36,375.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 215-2529
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPN80R2K0P7ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 700V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Series | CoolMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 9nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 6.4W | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 700V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Series CoolMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 6.4W | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 800V Cool MOS™ P7 super junction MOSFET series is a perfect fit for low power SMPS applications by fully addressing market needs in performance, ease-of-use and price/performance ratio. It mainly focuses on fly back applications including adapter and charger, LED driver, audio SMPS, AUX and industrial power. This new product family offers up to 0.6% efficiency gain and 2°C to 8°C lower MOSFET temperature compared to its predecessor as well as to competitor parts tested in typical fly back applications. It also enables higher power density designs through lower switching losses and better DPAK RDS(on) products.
Integrated Zener diode ESD protection up to Class 2 (HBM)
Best-in-class quality and reliability
Fully optimized portfolio
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN80R2K0P7ATMA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN70R1K2P7SATMA1
- Infineon IPN70R Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon IPN70R Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN70R2K0P7SATMA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223