Infineon IPD50R Type N-Channel MOSFET, 5 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50R800CEAUMA1

RS Stock No.:: 222-4900
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD50R800CEAUMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPD50R Type N-Channel MOSFET, 5 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50R800CEAUMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB496.15

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB530.875

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

7,400 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
25 - 25	THB19.846	THB496.15
50 - 75	THB19.349	THB483.73
100 - 225	THB18.866	THB471.65
250 - 475	THB18.394	THB459.85
500 +	THB17.934	THB448.35

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 222-4900
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD50R800CEAUMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	500V
	Series	IPD50R
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	800mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	40W
	Forward Voltage Vf	0.83V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	12.4nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6.73mm
	Width	6.22 mm
	Height	2.41mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 500V
	Series IPD50R
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 800mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 40W
	Forward Voltage Vf 0.83V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12.4nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6.73mm
	Width 6.22 mm
	Height 2.41mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPD50R800CEAUMA1

The Infineon 500V CoolMOS™ CE is a price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in consumer and lighting markets by still meeting highest efficiency standards. The new series provides all benefits of a fast switching superjunction MOSFET while not sacrificing ease of use and offering the best cost down performance ratio available on the market.

Reduced energy stored in output capacitance (E oss)

High body diode ruggedness

Reduced reverse recovery charge (Q rr )

Reduced gate charge (Q g )

Infineon IPD50R Type N-Channel MOSFET, 5 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50R800CEAUMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง