Infineon IPD50R Type N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252

RS Stock No.:: 222-4901
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD60R180C7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPD50R Type N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB111,245.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB119,032.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 13 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2500 - 2500	THB44.498	THB111,245.00
5000 - 5000	THB42.787	THB106,967.50
7500 +	THB42.245	THB105,612.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 222-4901
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD60R180C7ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	IPD50R
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	180mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	68W
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	24nC
	Length	6.73mm
	Width	6.22 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	2.41mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series IPD50R
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 180mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 68W
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24nC
	Length 6.73mm
	Width 6.22 mm
	Standards/Approvals No
	Height 2.41mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPD60R180C7ATMA1

The Infineon 600V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) MOSFET series offers a ∼50% reduction in turn-off losses (E oss ) compared to the CoolMOS™ CP, offering an outstanding level of performance in PFC, TTF and other hard-switching topologies. The IPL60R185C7 is also a perfect match for high-power-density charger designs.

Enables increasing switching frequency without loss in efficiency

Measure showing key parameter for light load and full load efficiency

Doubling the switching frequency will half the size of magnetic components

Smaller packages for same R DS(on)

Can be used in many more positions for both hard and soft switching topologies

Infineon IPD50R Type N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง