Infineon IPD50R Type N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V Enhancement, 10-Pin TO-252 IPDD60R190G7XTMA1

RS Stock No.:: 222-4904
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPDD60R190G7XTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPD50R Type N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V Enhancement, 10-Pin TO-252 IPDD60R190G7XTMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB466.61

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB499.275

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

1,350 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 5	THB93.322	THB466.61
10 - 95	THB90.988	THB454.94
100 - 245	THB88.712	THB443.56
250 - 495	THB86.492	THB432.46
500 +	THB84.328	THB421.64

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 222-4904
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPDD60R190G7XTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-252
	Series	IPD50R
	Mount Type	Surface
	Pin Count	10
	Maximum Drain Source Resistance Rds	190mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	18nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	76W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	21.11mm
	Length	6.6mm
	Width	2.35 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-252
	Series IPD50R
	Mount Type Surface
	Pin Count 10
	Maximum Drain Source Resistance Rds 190mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 76W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 21.11mm
	Length 6.6mm
	Width 2.35 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPDD60R190G7XTMA1

The Infineon technologies introduces Double DPAK (DDPAK), the first top-side cooled surface mount device (SMD) package addressing high power SMPS applications such as PC power, solar, server and telecom. The benefits of the already existing high voltage technology 600V CoolMOS™ G7 superjunction (SJ) MOSFET is combined with the innovative concept of top-side cooling, providing a system solution for high current hard switching topologies such as PFC and a high-end efficiency solution for LLC topologies.

Enabling highest energy efficiency

Thermal decoupling of board and semiconductor allows to overcome thermal PCB limits

Reduced parasitic source inductance improves efficiency and ease-of-use

Enables higher power density solutions

Exceeding the highest quality standards

Infineon IPD50R Type N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V Enhancement, 10-Pin TO-252 IPDD60R190G7XTMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง